1.去除废气中的气态污染物的方法，包括：使废气通过气态污染物去除装置，所述气态污染物去除装置包括气流通道以及布置在气流通道中的冷却装置，所述冷却装置包括至少两个片状构件，所述片状构件基本上相互平行且基本上平行于废气的流动方向，废气从相邻片状构件之间通过，废气流速不高于10m/s；片状构件外表面温度低于废气中至少部分蒸气成分的露点温度，通过对废气进行冷却使得废气中的至少部分蒸气凝结成液滴，废气中的气态污染物吸附在所述液滴上并随所述液滴湿沉降在片状构件外表面。2.根据权利要求1的方法，进一步包括：回收湿沉降到片状构件外表面的液滴。3.根据权利要求1或2的方法，其中所述冷却装置是翅片管换热器，换热器上的翅片构成所述片状构件；或者所述片状构件是半导体热电片，所述冷却装置包括两个冷端相对的半导体热电片，废气从两个半导体热电片的冷端之间通过。4.根据权利要求1-3任一项的方法，其中在使废气通过冷却装置之前对废气进行预处理，所述预处理包括提高废气中的蒸气含量、向废气中添加酸性物质、对废气进行氧化处理、向废气中添加碱性物质、对废气进行加压中的任意一项或几项。5.去除废气中气态污染物的系统，包括：供废气通过并进行处理的气态污染物去除装置，所述气态污染物去除装置包括气流通道及布置在气流通道中的冷却装置，所述冷却装置包括至少两个片状构件，所述片状构件基本上相互平行且基本上平行于气流走向。6.根据权利要求5的系统，其中所述冷却装置是翅片管换热器，换热器上的翅片构成所述片状构件；或者所述片状构件是半导体热电片，所述冷却装置包括两个冷端相对的半导体热电片。7.根据权利要求5或6的系统，其中在所述冷却装置的上游侧设置有喷入装置，用于向废气中喷入可在废气中形成蒸气的物质、氧化性物质、酸性物质、碱性物质中的任意一种或几种。8.根据权利要求5-7任一项的系统，其中在冷却装置的上游侧设置有氧化装置，用于对废气进行氧化处理。9.根据权利要求5-8任一项的系统，其中在冷却装置的上游侧设置有加压装置，用于对废气进行加压处理。10.根据权利要求5-9任一项的系统，还包括引流通道，用于使液滴通过所述引流通道引出和/或回收。